Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMTH8001STLWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH8001STLWQ-13
Price: 21.84 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMTH8001STLWQ-13

Nr prod.:

DMTH8001STLWQ-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Karta charakterystyki:

DMTH8001STLWQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ-13

Na stanie magazynowym: 1 598

Stany magazynowe:: 1 598 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	21,84 zł	21,84 zł
	15,61 zł	156,10 zł
	11,27 zł	1 127,00 zł
	11,22 zł	5 610,00 zł
	10,49 zł	10 490,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	10,49 zł	15 735,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	270 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	138 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	6 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMTH8001STLWQ-13 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DMTH8001STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH8001STLW Automotive Enhancement-Mode MOSFET is an N-channel MOSFET featuring a low on-resistance (1.1mΩ typical, 1.7mΩ maximum_⁾ and superior switching performance. The DMTH8001STLW has an 80V drain-source voltage, a 1µA zero gate voltage drain current, and ±100nA gate-source leakage. This device is AEC-Q101 qualified, supported by a PPAP, and optimized for automotive applications.