Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
115 500Oczekiwane: 09.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 36.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1210 100V 18A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
33 056Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel