Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FJX992TF

Name: onsemi FJX992TF
Brand: onsemi
SKU: 512-FJX992TF
Price: 1.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FJX992TF

Nr prod.:

FJX992TF

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor

Karta charakterystyki:

FJX992TF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 6 052

Stany magazynowe:: 6 052 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 51 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,70 zł	1,70 zł
	1,04 zł	10,40 zł
	0,659 zł	65,90 zł
	0,491 zł	245,50 zł
	0,483 zł	483,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,416 zł	1 248,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-323-3
Polaryzacja tranzystora:	PNP
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	100 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	120 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	120 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	300 mV
Pd – strata mocy:	235 mW
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	FJX992
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	- 100 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	150
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	5 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FJX992TF Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8532240000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Malezja

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

onsemi PNP Epitaxial Silicon Transistor is designed for use as a low noise amplifier in audio frequency applications. onsemi PNP Epitaxial Silicon Transistor features a high voltage of -120V and an excellent h_FE linearity of 200~700.