M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
1 074Na stanie magazynowym
33,66 zł
16,15 zł
15,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
Karta charakterystyki
457Na stanie magazynowym
20,94 zł
12,32 zł
9,50 zł
8,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Karta charakterystyki
354Na stanie magazynowym
25,92 zł
15,75 zł
13,16 zł
11,26 zł
11,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Karta charakterystyki
880Oczekiwane: 08.10.2026
22,44 zł
14,83 zł
10,82 zł
9,06 zł
8,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Karta charakterystyki
1 393Oczekiwane: 19.10.2026
22,40 zł
12,76 zł
10,60 zł
8,93 zł
8,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 24.09.2027
23,67 zł
13,42 zł
12,58 zł
9,99 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Karta charakterystyki
592Oczekiwane: 13.08.2027
17,82 zł
11,70 zł
8,54 zł
7,04 zł
6,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
27,46 zł
15,88 zł
13,20 zł
10,91 zł
10,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube