Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 45

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 43,13 zł
137Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 17.12.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMZA120R040M2HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA120R040M2HXK

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

137Na stanie magazynowym

240Oczekiwane: 17.12.2026

43,13 zł

25,75 zł

22,05 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 130,28 zł
1 418Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 25.06.2026

Produc. Nr części
IMBG120R008M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 418Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 25.06.2026

Odcinek taśmy

130,28 zł

97,82 zł

Opakowanie zbiorcze

97,82 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 94,04 zł
800Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R012M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

800Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

94,04 zł

68,21 zł

64,89 zł

64,09 zł

Opakowanie zbiorcze

59,64 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 58,42 zł
386Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R022M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

386Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

58,42 zł

41,20 zł

35,32 zł

Opakowanie zbiorcze

33,18 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 49,48 zł
1 683Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R026M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 683Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

49,48 zł

35,03 zł

Opakowanie zbiorcze

35,03 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 39,10 zł
417Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R040M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

417Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

39,10 zł

26,96 zł

20,96 zł

Opakowanie zbiorcze

19,70 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 28,39 zł
1 211Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R078M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 211Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

28,39 zł

19,24 zł

14,07 zł

13,73 zł

Opakowanie zbiorcze

12,85 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 24,11 zł
673Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R116M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

673Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

24,11 zł

15,50 zł

11,89 zł

11,21 zł

Opakowanie zbiorcze

10,54 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 20,87 zł
817Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 05.06.2026

Produc. Nr części
IMBG120R181M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

817Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 05.06.2026

Odcinek taśmy

20,87 zł

13,27 zł

9,95 zł

9,11 zł

Opakowanie zbiorcze

8,53 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 18,86 zł
6 789Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R234M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

6 789Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

18,86 zł

12,52 zł

8,90 zł

7,94 zł

Opakowanie zbiorcze

7,43 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 42,97 zł
23Na stanie magazynowym
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMCQ120R034M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMCQ120R034M2HXT

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

23Na stanie magazynowym

1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

42,97 zł

29,74 zł

23,02 zł

22,51 zł

Opakowanie zbiorcze

21,80 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 269,22 zł
1 280Oczekiwane: 02.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMCQ120R004M2HXUMA1

Nr części Mouser
726-IMCQ120R004M2HXU

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 280Oczekiwane: 02.07.2026

Odcinek taśmy

269,22 zł

235,54 zł

205,38 zł

191,06 zł

Opakowanie zbiorcze

191,06 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 191,02 zł
742Oczekiwane: 02.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMCQ120R005M2HXUMA1

Nr części Mouser
726-IMCQ120R005M2HXU

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

742Oczekiwane: 02.07.2026

Odcinek taśmy

191,02 zł

155,44 zł

146,83 zł

Opakowanie zbiorcze

146,83 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 108,57 zł
1 731Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMCQ120R010M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMCQ120R010M2HXT

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 731Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

108,57 zł

79,34 zł

76,90 zł

72,28 zł

Opakowanie zbiorcze

72,28 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 72,62 zł
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMCQ120R017M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMCQ120R017M2HXT

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

72,62 zł

54,26 zł

46,91 zł

44,44 zł

Opakowanie zbiorcze

41,75 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 33,05 zł
1 968Oczekiwane: 02.07.2026

Produc. Nr części
IMBG120R053M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 968Oczekiwane: 02.07.2026

Odcinek taśmy

33,05 zł

22,26 zł

18,40 zł

16,88 zł

Opakowanie zbiorcze

15,46 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 36,71 zł
480Oczekiwane: 11.06.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMZA120R053M2HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA120R053M2HXK

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

480Oczekiwane: 11.06.2026

36,71 zł

21,63 zł

21,13 zł

17,85 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 43,13 zł
1 992Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMZC120R040M2HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZC120R040M2HXK

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 992Dostępna ilość z otwartych zamówień

43,13 zł

25,75 zł

22,05 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 32,59 zł
240Oczekiwane: 13.08.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMZA120R078M2HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZA120R078M2HXK

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

240Oczekiwane: 13.08.2026

32,59 zł

19,03 zł

16,04 zł

15,29 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 32,59 zł
Czas realizacji 40 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
IMZC120R078M2HXKSA1

Nr części Mouser
726-IMZC120R078M2HXK

Nowe produkty

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Czas realizacji 40 tygodni

32,59 zł

19,03 zł

16,04 zł

15,29 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W