π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

Wyniki: 69
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 5.5 A 1.35 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 1.4 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5.5 A 1.48 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 9 A 770 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 830 mOhms 45 W MOSVII Tube