SIS890ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS890ADN-T1-GE3
SIS890ADN-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIS890ADN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 58 867

Stany magazynowe:
58 867 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
4,90 zł 4,90 zł
3,09 zł 30,90 zł
2,04 zł 204,00 zł
1,62 zł 810,00 zł
1,47 zł 1 470,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,30 zł 3 900,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
24.7 A
25.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.2 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Czas zanikania: 4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 45 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 6 ns
Seria: SIS
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 9 ns
Jednostka masy: 1 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET offers 100VDC drain-source voltage, 40A pulsed drain current, and a single configuration. It features low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) along with TrenchFET® GEn IV power. This MOSFET is 100% Rg and UIS tested. Vishay SiS890ADN N-Channel 100V MOSFET is ideally suited for synchronous rectification, primary side switches, DC/DC converters, and circuit protection.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.