N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
Karta charakterystyki
4 330Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
Karta charakterystyki
743Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Karta charakterystyki
798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Karta charakterystyki
457Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 290 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 130 W Reel
STMicroelectronics MOSFETs Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel