Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 81.23 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SH63N65DM6AG

Nr prod.:

SH63N65DM6AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

SH63N65DM6AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SH63N65DM6AG

Na stanie magazynowym: 195

Stany magazynowe:: 195 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 200)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	81,23 zł	81,23 zł
	64,33 zł	643,30 zł
	46,61 zł	4 661,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 200)
	46,61 zł	9 322,00 zł
	40,38 zł	16 152,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	ACEPACK SMIT-9
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	53 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	64 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.75 V
Qg – ładunek bramki:	80 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	424 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AQG 324
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	8 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	200
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	68 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns
Jednostka masy:	8,200 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SH63N65DM6AG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH63N65DM6AG Power MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Power MOSFET is an automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET offering 650V blocking voltage. This power MOSFET is AQG 324 qualified and comes in an ACEPACK SMIT low inductance package. The SH63N65DM6AG power MOSFET features very low switching energies, low thermal resistance, and a 3.4kV_rms/min isolation rating. This power MOSFET has a dice-on Direct Bond Copper (DBC) substrate that helps the package offer low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The SH63N65DM6AG MOSFET comes in a package with high design flexibility enabling several configurations, including phase-legs, boost, and single-switch through different combinations of internal power switches. This power MOSFET is ideal for switching applications.