Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Rodzaje półprzewodników
Zmień widok kategorii
Wyniki: 51
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Karta charakterystyki
551Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Karta charakterystyki
236Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
272Na stanie magazynowym
2 880Oczekiwane: 11.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
267Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Karta charakterystyki
230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
291Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 07.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 480
Wielokr.: 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 480
Wielokr.: 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 480
Wielokr.: 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 480
Wielokr.: 480