High Efficiency Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor High Efficiency Schottky Barrier Diodes are designed to improve the tradeoff between low VF and low IR. These diodes feature Trench MOS structure, 30A peak forward surge current, high reliability, and low capacitance. The YQ1MM10Ax high efficiency Schottky barrier diodes are used in applications such as switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Karta charakterystyki
2 035Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000
Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Karta charakterystyki
6 927Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape