NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Karta charakterystyki
1 148Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 28
Wielokr.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Karta charakterystyki
56Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Karta charakterystyki
168Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray