LMG2100R026VBNR

Texas Instruments
595-LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 24 525

Stany magazynowe:
24 525 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
46,91 zł 46,91 zł
37,54 zł 375,40 zł
36,38 zł 909,50 zł
31,56 zł 3 156,00 zł
30,19 zł 7 547,50 zł
27,52 zł 13 760,00 zł
27,43 zł 27 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
22,88 zł 57 200,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-16
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R026
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Funkcje: Low Power Consumption
Napięcie wejściowe – maks.: 5.25 V
Napięcie wejściowe – min.: 4.75 V
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Napięcie wyjścia: 12 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 55 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 3.5 mOhms
Zakończenie pracy: No Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Półmostkowy stopień mocy GaN LMG2100R026

Texas Instruments LMG2100R026 GaN Half-Bridge Power Stage integrates gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage includes two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration. The driver and the two GaN FETs are mounted on a fully bond-wire-free package platform with minimized package parasitic elements.