RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Vr – napięcie wsteczne If – prąd przewodzenia diody Rodzaj Konfiguracja Vf – Napięcie przewodzenia Max. udar prądowy Ir – Prąd wsteczny Czas regeneracji Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode 5 721Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode 1 015Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode 1 092Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode 976Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube