Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIHP065N60E-GE3

Name: Vishay SIHP065N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP065N60E-GE3
Price: 27.35 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIHP065N60E-GE3

Nr prod.:

SIHP065N60E-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Karta charakterystyki:

SIHP065N60E-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIHP065N60E-GE3

Na stanie magazynowym: 851

Stany magazynowe:: 851 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,35 zł	27,35 zł
	15,78 zł	157,80 zł
	13,63 zł	1 363,00 zł
	13,42 zł	13 420,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

SIHP065N60E-BE3

Opakowanie:

Tube

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

30,44 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Vishay / Siliconix

Nr prod.:

SIHP065N60E-BE3

Opis:

MOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	40 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	57 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	98 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	13 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	46 ns
Seria:	SIHP E
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	54 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns
Nazwy umowne nr części:	SIHP065N60E-BE3
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIHP065N60E-GE3 Karta charakterystyki

Models

PCN

Technical Resources

TO-220-1

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

4th Gen E Series MOSFETs

Vishay Semiconductors 4^th Gen E Series MOSFETs are low Figure-Of-Merit (FOM) MOSFETs with E series technology. The 4^th Gen E series MOSFETs feature low effective capacitance and reduced switching and conduction losses. These MOSFETs are avalanche energy rated (UIS). Vishay Semiconductors 4^th Gen E MOSFETs are available in TO-220AB, PowerPAK^® SO-8L, PowerPAK^® 8 x 8, DPAK (TO-252), and Thin-Lead TO-220 FULLPAK packages. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and Power Factor Correction (PFC) power supplies.

SiHP065N60E 600V E Series Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHP065N60E 600V E Series Power MOSFET is built on Vishay's energy-efficient E Series super junction technology and offers an ultra-low on-resistance that is 30% lower compared to the previous 600V E Series. The SiHP065N60E also delivers a 44% lower gate charge, which reduces conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix SiHP065N60E 600V E Series Power MOSFET is designed to withstand overvoltage transients in the avalanche mode with guaranteed limits through 100% unclamped inductive switching (UIS) testing. This device is offered in a RoHS-compliant, halogen-free TO-220AB package. The SiHP065N60E provides high efficiency for power applications such as telecom, enterprise, and industrial.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.