SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

onsemi MOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Karta charakterystyki
486Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 136 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
Karta charakterystyki
217Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 299 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Karta charakterystyki
798Oczekiwane: 17.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube