NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET offers a low QRR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package. This MOSFET has a low RDS(on) to minimize conduction losses and a low QG and capacitance to minimize driver losses. The onsemi NVBYST0D6N08X is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, lead-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant. A typical application for this MOSFET is Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC, a primary switch in an isolated DC-DC converter, motor drives, and automotive 48V systems.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m?
Karta charakterystyki
980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFETs PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 53 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1

PowerTrench