Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTH4L018N075SC1

Name: onsemi NTH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L018N075SC1
Price: 86.43 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTH4L018N075SC1

Nr prod.:

NTH4L018N075SC1

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTH4L018N075SC1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTH4L018N075SC1

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

1 800

Termin wysyłki - 20 dzień/dni
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 900

Oczekiwane: 06.03.2026
Średni czas produkcji:: 18

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	86,43 zł	86,43 zł
	62,48 zł	624,80 zł
	58,27 zł	5 827,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Id – Ciągły prąd drenu:	99 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	18 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	262 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	500 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	9.6 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	24 ns
Seria:	NTH4L018N075SC1
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTH4L018N075SC1 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L018N075SC1 N-Channel SiC MOSFET

onsemi NTH4L018N075SC1 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a low ON resistance, 750V M2 EliteSiC MOSFET available in a compact TO247-4L package. This SiC MOSFET supports high-speed switching with low capacitance (C_oss = 365pF), zero reverse recovery current of the body diode, and Kelvin source configuration. The NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET features Q_G(tot) = 262nC ultra-low gate charge, -8V/+22V gate-to-source voltage, and 500W power dissipation. Typical applications include solar inverters, EV charging stations, energy storage systems, Uninterruptible Power Supplies (UPS), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).