Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 17.42 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

Nr prod.:

SIRS5700DP-T1-RE3

Produc.:

Vishay

Opis:

MOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Karta charakterystyki:

SIRS5700DP-T1-RE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay SIRS5700DP-T1-RE3

Na stanie magazynowym: 2 618

Stany magazynowe:: 2 618 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	17,42 zł	17,42 zł
	11,52 zł	115,20 zł
	8,82 zł	882,00 zł
	7,65 zł	3 825,00 zł
	7,44 zł	7 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	6,49 zł	19 470,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	144 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	73 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	278 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	25 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	122 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Seria:	SiRS5700DP
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIRS5700DP-T1-RE3 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Vishay SiRS5700DP optimizes power efficiency, and the device's R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. This MOSFET undergoes 100% R_g and UIS testing, guaranteeing reliability. The device also enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC), making it an ideal choice for high-performance applications.