RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge. This device features good stability and uniformity with high single pulse avalanche energy. The RM150N60HD is ideal for hard-switched and high-frequency circuits, power switching, and uninterruptible power supplies.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Rectron MOSFETs
Karta charakterystyki
683Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs MOSFET D2-PAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 600
Wielokr.: 800
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel