DMN3027x N-Channel MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3027x N-Channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) and maintains superior switching performance. These MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to +150°C. The DMN3027x MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
Karta charakterystyki
12 000Oczekiwane: 01.06.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel