Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A 4 000Na stanie magazynowym
8 000Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel