SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS94DN-T1-GE3
SISS94DN-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SISS94DN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 26 727

Stany magazynowe:
26 727 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
5,29 zł 5,29 zł
3,34 zł 33,40 zł
2,21 zł 221,00 zł
1,73 zł 865,00 zł
1,57 zł 1 570,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,47 zł 4 410,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8SH-8
N-Channel
1 Channel
200 V
19.5 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 12 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: SISS
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 12 ns
Jednostka masy: 488,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET is an N-channel 200VDS device that uses TrenchFET® with ThunderFET technology. This ThunderFET MOSFET optimizes the balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss. The device is 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. This SISS94DN MOSFET is available in a PowerPAK 1212-8S package and is Lead (Pb)-free and halogen-free (SiSS94DN-T1-GE3). The MOSFET operates from -55°C to +150°C temperature range and comes in a single configuration. Typical applications include primary side switching, synchronous rectification, DC/DC topologies, lighting, load switches, and motor drive control.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.