Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 60
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
1 197Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET Modules 300A SiC Power Module
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes AECQ
Karta charakterystyki
442Oczekiwane: 27.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
450Oczekiwane: 23.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Chopper
Karta charakterystyki
Czas realizacji 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET Modules SIC Pwr Module Half Bridge
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 4
Wielokr.: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes DIODE: 8A 600V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2