NVBG160N120SC1

onsemi
863-NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NVBG160N120SC1

Na stanie magazynowym: 981

Stany magazynowe:
981 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
44,16 zł 44,16 zł
30,01 zł 300,10 zł
26,96 zł 2 696,00 zł
25,97 zł 12 985,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
25,16 zł 20 128,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19.5 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
33.8 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 7.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 5.5 S
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 11 ns
Seria: NVBG160N120SC1
Wielkość opakowania producenta: 800
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 11 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET

onsemi NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. This MOSFET features 1200V drain-to-source voltage (VDSS) and 19.5A maximum drain current (ID). The NVBG160N120SC1 MOSFET offers low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. This MOSFET provides high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. onsemi NVBG160N120SC1 MOSFET is qualified for automotive applications like automotive onboard chargers and DC/DC converters for electric vehicles (EVs)/hybrid vehicles (HEVs) according to the AEC-Q101 standards.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.