Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 P-CH 30V 80A
Karta charakterystyki
2 476Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 N-CH 40V 80A
Karta charakterystyki
2 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
Karta charakterystyki
2 488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
Karta charakterystyki
1 859Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN3333 P-CH 40V 40A
Karta charakterystyki
1 050Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 17.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel