QPD2018D

Qorvo
772-QPD2018D
QPD2018D

Produc.:

Opis:
RF JFET Transistors 0.18 mm Pwr pHEMT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 200

Stany magazynowe:
200 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 200 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 100   Wielokrotności: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
42,70 zł 4 270,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Tranzystory JFET RF
RoHS:  
pHEMT
GaAs
14 dB
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
Marka: Qorvo
NF – współczynnik szumów: 1 dB
Rodzaj produktu: RF JFET Transistors
Seria: QPD2018D
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This proven process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.