SIZ240DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 8 026

Stany magazynowe:
8 026 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
7,27 zł 7,27 zł
4,60 zł 46,00 zł
3,06 zł 306,00 zł
2,51 zł 1 255,00 zł
2,20 zł 2 200,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
2,02 zł 6 060,00 zł
1,86 zł 11 160,00 zł
1,81 zł 16 290,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
40 V
48 A, 47 A
8 mOhms, 8.4 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
15.2 nC, 14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 5 ns, 10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 39 S, 55 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 6 ns, 55 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 23 ns, 25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 15 ns, 25 ns
Jednostka masy: 143,050 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET

Vishay SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET® Gen IV power MOSFET technology, with integrated high- and low-side MOSFETs in one compact PowerPAIR® 3.3mm2 package. The SiZ240DT provides best-in-class on-resistance and on-resistance times gate charge, a key Figure of Merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.