CA3509M4 L-to-S Band Low Noise Amplifier ICs

CEL CA3509M4 L-to-S Band Amplifier ICs offer low noise and high gain in a small flat-lead 4-pin thin-type super mini mold package. The CA3509M4 ICs feature an on-chip bias supply circuit and an on-chip ESD protection diode. The device is ideal for global navigation satellite systems (GNSS), satellite radio antennas, and microwave communications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie NF – współczynnik szumów Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Technologia P1dB – Punkt kompresji OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
CEL RF Amplifier LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3 714Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF Amplifier LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 199Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Bulk