NTJD5121N/NVJD5121N Dual N-Ch Power MOSFETs

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N Dual N-Ch Power MOSFETs feature a low RDS(on), gate threshold, and input capacitance. The onsemi NTJD5121N/NVJD5121N MOSFETs feature a 60V drain-to-source voltage and 295A maximum continuous drain current. The NTJD5121N/NVJD5121N are AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 192 676Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 19 798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 26 340Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 18.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 30 171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel