Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

AIKBE50N65RF5ATMA1

Name: Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKBE50N65RF5ATM
Price: 34.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-AIKBE50N65RF5ATM

Nr prod.:

AIKBE50N65RF5ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBTs SIC_DISCRETE

Karta charakterystyki:

AIKBE50N65RF5ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies AIKBE50N65RF5ATMA1

Na stanie magazynowym: 36

Stany magazynowe:: 36 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	34,49 zł	34,49 zł
	23,65 zł	236,50 zł
	19,05 zł	1 905,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	16,17 zł	16 170,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	SiC
Opakowanie/obudowa:	TO263-3
Styl mocowania:	SMD/SMT
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.03 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	4.8 V
Pd – strata mocy:	326 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	50 A
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	IGBTs
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Nazwy umowne nr części:	AIKBE50N65RF5 -

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AIKBE50N65RF5ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Hybrid IGBTs

Infineon Technologies CoolSiC™ Hybrid IGBTs combine a 650V TRENCHSTOP™ 5 fast-switching IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) with a CoolSiC™ Schottky Diode. These devices are optimized to enable a cost-efficient performance boost for fast-switching automotive applications.