Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPP023N08N5XKSA1

Name: Infineon IPP023N08N5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP023N08N5XKSA1
Price: 20.79 PLN
Availability: OutOfStock

Nr Mouser:

726-IPP023N08N5XKSA1

Nr prod.:

IPP023N08N5XKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Karta charakterystyki:

IPP023N08N5XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,79 zł	20,79 zł
	10,92 zł	109,20 zł
	9,95 zł	995,00 zł
	8,40 zł	4 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.8 V
Qg – ładunek bramki:	133 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	300 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Czas zanikania:	20 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns
Wielkość opakowania producenta:	500
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	62 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns
Nazwy umowne nr części:	IPP023N08N5XKSA1 SP005573709

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPP023N08N5XKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Austria
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Austria

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower R_DS(on) and Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.