Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RGT20NL65GTL

Name: ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGT20NL65GTL
Price: 11.09 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RGT20NL65GTL

Nr prod.:

RGT20NL65GTL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

RGT20NL65GTL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL

Na stanie magazynowym: 1 000

Stany magazynowe:: 1 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 1000 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,09 zł	11,09 zł
	7,22 zł	72,20 zł
	4,99 zł	499,00 zł
	4,14 zł	2 070,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	3,70 zł	3 700,00 zł
2 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-263-3
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.1 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	30 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	20 A
Pd – strata mocy:	53 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Prąd upływowy bramka–emiter:	200 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	IGBTs
Nazwy umowne nr części:	RGT20NL65

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RGT20NL65GTL Karta charakterystyki (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT features low collector-emitter saturation voltage, ideal for general inverter, UPS, power conditioner, and welding applications. The ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT offers a short circuit withstand time of 5μs. Additionally, the device is specified to ±30V gate - emitter voltage and a 20A @ 25°C collector current.