Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6 150 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low RDS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower RDS(on), 20% lower FOMg, and 17% lower FOMgd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Karta charakterystyki
1 043Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Karta charakterystyki
1 500Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Karta charakterystyki
4 054Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Karta charakterystyki
Czas realizacji 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
Karta charakterystyki
1 979Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
Karta charakterystyki
4 004Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Karta charakterystyki
333Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Karta charakterystyki
998Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Karta charakterystyki
277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Karta charakterystyki
1 235Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Karta charakterystyki
232Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 26.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Karta charakterystyki
927Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube