CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Wyniki: 71
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
134Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
252Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
73Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
4 000Oczekiwane: 04.02.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 000Oczekiwane: 28.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 18.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1 700
Wielokr.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Czas realizacji 21 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 750
Wielokr.: 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 1 700
Wielokr.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 750
Wielokr.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 750
Wielokr.: 750
: 750

Si 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube