Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TPH2R70AR5,LQ

Name: Toshiba TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH2R70AR5LQ
Price: 5.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TPH2R70AR5LQ

Nr prod.:

TPH2R70AR5,LQ

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

TPH2R70AR5,LQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TPH2R70AR5,LQ

Na stanie magazynowym: 3 084

Stany magazynowe:: 3 084 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,72 zł	5,72 zł
	4,18 zł	41,80 zł
	3,37 zł	337,00 zł
	3,05 zł	1 525,00 zł
	2,95 zł	2 950,00 zł
	2,73 zł	6 825,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	2,64 zł	13 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	190 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	52 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	210 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	23 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	41 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	44 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TPH2R70AR5,LQ Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystor MOSFET TPH2R70AR5 typu N-Ch

Toshiba TPH2R70AR5 N-Channel MOSFET merges low on-resistance with low switching loss for power conversion efficiency. The TPH2R70AR5 is developed for demanding applications and supports high-speed switching and reliable performance in compact designs. The N-channel silicon MOSFET is ideal for high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers.