EVLSTGAP3S6S

STMicroelectronics
511-EVLSTGAP3S6S
EVLSTGAP3S6S

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools Half-bridge evaluation board for STGAP3S6S SiC MOSFETs isolated gate driver with

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
49
Średni czas produkcji:
52
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
211,30 zł 211,30 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
5 V
STGAP3S6S
STGAP3S6S
Marka: STMicroelectronics
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Jednostka masy: 150 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
9030820000
CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Włochy
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Półmostkowa płyta testowa EVLSTGAP3S6S

STMicroelectronics EVLSTGAP3S6S Half-Bridge Evaluation Board is designed to evaluate the STGAP3S6S isolated single-gate driver. The STGAP3S6S is characterized by 6A current capability, rail-to-rail outputs, and optimized UVLO and DESAT protection thresholds for SiC MOSFETs. This feature makes the device optimal for high-power motor drivers in industrial applications. The gate driver has a single output pin and a driver line for an external Miller CLAMP N-channel MOSFET. This option optimizes positive and negative gate spike suppression during fast commutations in half-bridge topologies.