Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 103
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 250V 86A N-CH TRENCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3