Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ5G040ATTCL

Name: ROHM Semiconductor RQ5G040ATTCL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5G040ATTCL
Price: 1.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ5G040ATTCL

Nr prod.:

RQ5G040ATTCL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs SC96 N CHAN 40V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RQ5G040ATTCL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ5G040ATTCL

Na stanie magazynowym: 2 074

Stany magazynowe:: 2 074 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1,81 zł	1,81 zł
	1,12 zł	11,20 zł
	0,74 zł	74,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,628 zł	1 884,00 zł
	0,619 zł	3 714,00 zł
	0,589 zł	5 301,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SC-96-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	46 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	16.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 50 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	34 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	88 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.6 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ5G040ATTCL Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQ5G040AT -40V P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P-Channel Small Signal MOSFET is a -40V drain-source voltage (V_DSS) and ±4.0A continuous drain current (I_D) rated device. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 46.0mΩ (max.) (V_GS = -10V, I_D = -4.0A) and comes in a 2.8mm x 2.9mm SOT-346T (TSMT3) package. The ROHM Semiconductor RQ5G040AT MOSFET is ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.