Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NCV5703DDR2G

Name: onsemi NCV5703DDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV5703DDR2G
Price: 6.54 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NCV5703DDR2G

Nr prod.:

NCV5703DDR2G

Produc.:

onsemi

Opis:

Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH ENABLE PIN

Karta charakterystyki:

NCV5703DDR2G Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NCV5703DDR2G

Na stanie magazynowym: 3 927

Stany magazynowe:: 3 927 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,54 zł	6,54 zł
	4,82 zł	48,20 zł
	4,39 zł	109,75 zł
	3,92 zł	392,00 zł
	3,66 zł	915,00 zł
	3,53 zł	1 765,00 zł
	3,36 zł	3 360,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,36 zł	8 400,00 zł
	3,13 zł	15 650,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	IGBT Drivers
Rodzaj:	Half-Bridge
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Liczba sterowników:	1 Driver
Liczba wyjść:	1 Output
Napięcie zasilania – max.:	36 V
Konfiguracja:	Non-Inverting
Czas narastania:	9.2 ns
Czas zanikania:	7.9 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	NCV5703
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Napięcie wejściowe – maks.:	36 V
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia:	75 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia:	75 ns
Prąd roboczy zasilania:	900 mA
Pd – strata mocy:	700 mW
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Zakończenie pracy:	Shutdown
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	Si

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NCV5703DDR2G Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCV5703D IGBT Gate Driver

onsemi NCV5703D IGBT Gate Driver features a high-current and high-performance stand-alone IGBT driver for high-power applications. This NCV5703D driver is designed to accommodate a wide voltage range of bias supplies, including unipolar and bipolar voltages. The IGBT driver features Under-Voltage Lockout (UVLO), Desaturation protection (DESAT), and active open-drain FAULT output. This NCV5703D enables function for driver output control by external signal. Typical applications include solar inverters, motor control, Uninterruptible Power Supplies (UPS), rapid shutdown for photovoltaic systems, DC-AC inverters, battery chargers, and automotive PTC heaters.