MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
209Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 209
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 836Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 836
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 388Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 388
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel