REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs use split-gate technology to reduce RDS(ON) and figure of merit (FOM) for high-current applications. The 100V family is available in 3x3 µSO8-FL WF, 5x6 SO8-FL WF, TOLL, TOLG, and TOLT package options, while the 150V family is available in TOLL and TOLT package options. These packages support high power density, strong thermal performance, and high current capability. The REXFET-1 MOSFETs also offer wettable-flank package options for improved solder-joint reliability and automated optical inspection. Qualified to meet JEDEC industrial standards or AEC-Q101 automotive certification, these Renesas MOSFETs are ideal for industrial and automotive applications.

Wyniki: 30
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
: 1 300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel