REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs implement split-gate technology, which significantly reduces the on-resistance RDSON and Figure of Merit, ideal for high-current applications. The devices are available in TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing), and TOLT (TO top-side cooled) packages for exceptional thermal performance and maximum power capability. Additionally, the MOSFETs feature wettable flank packaging for excellent solder joint performance. The REXFET-1 MOSFETs are AEC-Q100 qualified with PPAP support for automotive applications.

Wyniki: 32
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
Szpula: 1 300

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
Szpula: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 300
Wielokr.: 1 300
Szpula: 1 300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
Szpula: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel