Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIR873DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR873DP-T1-GE3
Price: 7.61 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIR873DP-T1-GE3

Nr prod.:

SIR873DP-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Karta charakterystyki:

SIR873DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIR873DP-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 9 086

Stany magazynowe:: 9 086 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 4 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,61 zł	7,61 zł
	5,07 zł	50,70 zł
	3,58 zł	358,00 zł
	2,99 zł	1 495,00 zł
	2,83 zł	2 830,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,53 zł	7 590,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-SO-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	37 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	39.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	25 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	104 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET, PowerPAK
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7 ns
Seria:	SIR
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Jednostka masy:	506,600 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIR873DP-T1-GE3 Karta charakterystyki

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET provides low on-resistance that minimizes power loss from conduction. This device is available in a single-configuration PowerPAK® package. Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET Power MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches, active clamps in DC/DC power supplies, battery protection, and motor drive control.