DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
Karta charakterystyki
3 248Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
Karta charakterystyki
2 684Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 30.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel