BC847xQC NPN General Purpose Transistors

Nexperia BC847xQC NPN General Purpose Transistors feature high power dissipation capability, 0.5mm low package height, and are available in the DFN1412D-3 SMD package. These transistors operate at 45V collector-emitter voltage (VCEO), 100mA collector current (IC), 200mA peak collector current (ICM), and -55°C and 150°C ambient temperature range. The BC847xQC transistors offer a smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages and are used in applications such as general-purpose switching/amplification and space-restricted applications.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
Nexperia Schottky Diodes & Rectifiers RECT 30V .2A SM SCHOTTKY 9 800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 9 800
Szpula: 5 000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DFN-3
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS 13 002Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5 000
Szpula: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS 14 729Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5 000
Szpula: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS 12 455Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5 000
Szpula: 5 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3