DMTH10H2M5STLWQ-13

Diodes Incorporated
621-TH10H2M5STLWQ-13
DMTH10H2M5STLWQ-13

Produc.:

Opis:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 457

Stany magazynowe:
1 457 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 1457 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
19,82 zł 19,82 zł
13,59 zł 135,90 zł
9,80 zł 4 900,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
9,55 zł 14 325,00 zł
9,50 zł 28 500,00 zł
9 000 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj produktu: MOSFETs
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET is an N-channel MOSFET featuring a low on-resistance (1.68mΩ typical, 2.5mΩ maximum) and superior switching performance. The DMTH10H2M5STLWQ has a 100V drain-source voltage, a 1µA zero gate voltage drain current, and ±100nA gate-source leakage. This device is AEC-Q101 qualified, supported by a PPAP, and optimized for automotive applications.