EL Series High Voltage MOSFETs

Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs are N-channel MOSFETs that reduces switching and conduction losses. These high voltage MOSFETs feature low Figure-Of-Merit (FOM), low input capacitance, and low gate charge. The EL high voltage MOSFETs operate in 650V drain-to-source voltage (VDS) and employs single configuration. These high voltage MOSFETs come with Unclamped Inductive Switching (UIS) avalanche energy rating. Typical applications for Vishay Semiconductors EL Series High Voltage MOSFETs include server and telecom power supplies, lighting, welding, induction heating, motor drives, and battery chargers.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 21A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
909Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 197 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG Niedostępne na stanie
Min.: 500
Wielokr.: 500

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC Niedostępne na stanie
Min.: 500
Wielokr.: 500

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 69 A 42 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 342 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement