Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

Wyniki: 20
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFETs 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300Oczekiwane: 01.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFETs 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300Oczekiwane: 01.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
300Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFETs 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C