650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube