Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel and offer optimized switching performance. This MOSFET features a low reverse recovery charge (Qrr) and soft body diode for superior low-noise switching. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs provide high efficiency with lower switching spikes and electromagnetic interference (EMI). They improve the switching Figure of Merit (FOM). Typical applications include synchronous rectification for ATX/server/telecom power-supply units (PSUs), motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), and micro solar inverters.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A 747Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 17.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A 447Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A 583Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 15.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube