Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IRF150DM115XTMA1

Name: Infineon IRF150DM115XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150DM115XTMA1
Price: 14.23 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IRF150DM115XTMA1

Nr prod.:

IRF150DM115XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Karta charakterystyki:

IRF150DM115XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IRF150DM115XTMA1

Na stanie magazynowym: 858

Stany magazynowe:: 858 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,23 zł	14,23 zł
	9,33 zł	93,30 zł
	6,75 zł	675,00 zł
	5,98 zł	2 990,00 zł
	5,38 zł	5 380,00 zł
	5,29 zł	13 225,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4800)
	5,29 zł	25 392,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WG-WDSON-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	60 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.8 V
Qg – ładunek bramki:	33 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	78 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS DirectFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MX
Czas zanikania:	14 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Wielkość opakowania producenta:	4800
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns
Nazwy umowne nr części:	IRF150DM115 SP001511080

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IRF150DM115XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET

Infineon Technologies IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET is designed to optimize thermal design in order to achieve high power density and efficiency. This MOSFET offers a breakthrough reduction in R_DS(on) (up to 25% compared to the alternative in SuperSO8) and Q_rr without compromising FOM_gd and FOM_OSS. This effectively reduces design effort while optimizing system efficiency. The IRF150DM115 MOSFET is available in a DirectFET™ package with OptiMOS™ 5. The double-side-cooled package with low parasitic inductance and profile design enables high power density designs. This OptiMOS 5 150V MOSFET is suitable for use in targeting power conversion in photovoltaic optimizers, cordless power tools, and motor control. Potential applications include solar micro-inverters, synchronous rectification, and DC-DC converters.